State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices


電子薄膜與集成器件國家重點實驗室是以教育部新型傳感器重點實驗室、信息產業部電子信息材料重點實驗室和功率半導體技術重點實驗室為基礎于2006年7月建立的。

目前,實驗室緊密圍繞國家IT領域的戰略目標,立足于電子信息材料與器件的發展前沿,堅持需求與發展并舉、理論與實踐并重,致力于新型電子薄膜材料與集成電子器件的研究和開發,促進材料——器件——微電子技術的交叉和集成,形成了三個重點研究方向:

(1)磁電薄膜與微型器件

主要解決集成器件中電、磁信息的探測和傳輸

(2)功率半導體器件及集成技術

主要解決集成系統中能量的輸入輸出

(3)電子聚合物與微結構傳感器

主要解決微型結構中電、光信息的獲取和傳感

實驗室現有研究人員80人,管理人員4人,輔助人員2人;客座研究人員16人。在固定研究人員中已形成以陳星弼院士為帶頭人的一支以40歲左右為核心、30歲左右為主力的骨干研究隊伍。隊伍中包括了中科院院士1人,國家杰出青年基金獲得者3人,長江學者特聘教授5人,長江學者講座教授1人,國家自然基金委創新團隊1個,國家級獎評委5人,教育部跨(新)世紀人才10人,部級專家組成員3人,四川省杰出創新人才獎3人,四川省學術和技術帶頭人6人,四川省有突出貢獻專家4人,博導26人?,F有研究隊伍中,90%具有博士、碩士學位,50%有海外經歷,45歲以下的中青年技術骨干占85%。

實驗室擁有1個國家重點學科、5個博士點以及5個碩士點,已具備每年250名左右碩士生、40名左右博士生、20名左右博士后的人才培養規模。2002年以來,共為國家培養碩士生1300名,博士生40名,博士后10名,為改善和提高我國電子薄膜與集成器件究水平提供了人才保障。

目前,實驗室共承擔國家/省部級項目200余項,國撥縱向經費1.3億元。2002年-2009年,實驗室共獲得國家獎7項,省部一等獎7項、二等獎14項、三等獎16項,獲得發明專利授權80項,其中美國發明專利4項,發表論文1200余篇,其中在APL、JAP、PRB、IEEE等國外刊物上發表500余篇,發行著作7本,有40項成果被采用,直接經濟效益5億元。

實驗室充分利用國家“211工程”/“985工程”建設經費、學校自籌學科建設經費等,集中資金重點建設了四個研究平臺(“材料與器件制造工藝平臺”、“微細加工平臺”、“電磁性能測試與微結構表征平臺”和“集成電路設計平臺”),同時,為滿足具體研究方向和研究內容的需要,實驗室科研人員經過與設備廠家的深入討論,采用部分部件改進、部分功能調整、軟件升級等多種形式對本實驗室的MOCVD系統、脈沖激光濺射沉積設備、四靶三英寸超導鍍膜沉積裝置、熔體快淬纖維/薄帶爐、旋轉式真空晶化爐、球型真空室、熔體轉輪超速急冷爐、高真空磁控與離子束濺射鍍膜系統、AFM等大型設備進行了改進,以上設備改進后,使用率上升,保障了實驗室科研項目高質量的完成,有力地推動了實驗室環境、科研設備等基礎條件的改善,使器件設計、材料制備、測試和分析的實驗條件達到國際先進水平。目前,實驗室擁有各種儀器設備700余臺套,總價值8000余萬元。

長期以來,實驗室將所涉及的方向和研究內容與國內外著名大學和研究機構開展了實質性的對口合作與交流,每年大約30多位海內外專家被邀請到實驗室進行學術交流,大約20多人次實驗室骨干出國訪問和參加國際性學術會議(包括約8人次的邀請報告),同時,為開拓新的方向,每年吸引和充實4-5名國外留學人員回國工作。通過合作交流,促進了本實驗室相關項目的研究和開發,以及相關研究成果向IT產業部門和相關企業的轉移。

奮斗不息,耕耘不止。在實驗室今后的發展中,我們將繼續把握電子材料與元器件領域研究的內涵,立足于電子信息材料與新型電子器件的發展前沿,加強在介電、磁性、半導體方向上的集成創新,力爭基礎研究國際化、應用研究核心化。我們將繼續加強科研平臺建設,為做強做實一流實驗室奠定堅實的軟硬件基礎。我們將繼續加強人才隊伍建設,以先進的研究基地吸引人才,以優秀的研究團隊凝聚人才,以優勢科研項目歷練人才,促進實驗室人才結構的良性發展,把實驗室建設成為具有國際競爭力的一流電子薄膜與集成器件人才培養基地。


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